IGBT 应用领域广泛,市场规模持续扩张。IGBT 是能源变换与传输的核心器件,由 BJT(双极型三极管)和 MOSFE(金属氧化物半导体场效应晶体管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有 MOSFET 的高输入阻抗和 BJT 的低导通压降两方面的优点,从小家电、数码产品,到航空航天、高铁领域,再到新能源汽车、智能电网等新兴领域均有广泛应用。根据 Yole 统计,2023 年全球 IGBT 市场规模为 76.57亿美元,预计 2029年市场规模将达到 100.81 亿美元,2023-2029 年均复合增长率为 4.7%。