第三代半导体材料禁带宽度大,耐高温、高频高功率,拥有高热导率和高击穿电场强度
2023-06-25 08:13:05
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展览4 到2030年,半导体市场的价值可能达到1.6万亿美元
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表5.9 “核聚变用高温超导磁体研究”工程研究前沿中施引核心论文的主要产出国家
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3) 第三代半导体材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)、金刚石(C)为代表。因具有大禁带宽度、高电导率、高热导率、高抗辐射能力等优点,更适合在高压、高频、高功率、高温以及高可靠性领域中应用,例如射频通信、雷达、电源管理、汽车电子、电力电子等。
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