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先的半导体企业通过持续的工艺创新，成功将3D NAND闪存的堆叠层数从早期的32层提升至200层以上。根据中国电子工程设计院的《3D NAND存储芯片刻蚀设备选型和数量配置研究》，32层、64层产品的堆叠层均为一次性堆叠完成，并分别通过4次、8次刻蚀完成台阶工艺，128层的3D NAND器件是由2组64层堆叠层组成，电子气体需求量同比扩大。另一方面随着堆叠层不断升高，待刻蚀膜厚相应增加，沟道通孔、狭缝和接触孔的刻蚀加工时间会变长甚至翻倍，推升刻蚀气体用量。而刻蚀后的掩膜去除以及清洗气用量也会随着掩膜刻蚀工艺次数的增加而提高。
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