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先进存储技术迭代产生大量沉积和刻蚀需求。先进存储的工艺路线可概括为“靠纵向堆叠换取密度”，从 2D NAND 到 3D NAND 的工艺难点从光刻逐步转向沉积和刻蚀工艺。3D NAND 的堆叠层数越高，刻蚀的难度和所需的机台数量便呈指数级上升，根据东京电子测算，从 2D NAND 到 3D NAND 工艺，薄膜沉积设备在资本开支的占比从 18%升至 26%以上。3D DRAM 同样涉及大规模的介质层叠和高深宽比深孔刻蚀，也将对沉积和刻蚀产生大量需求。
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