TGV玻璃通孔与TSV硅通孔制备流程对比
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TGV省去了沉积隔离层、绝缘层的过程。TGV的制备流程包括，先玻璃基板上进行打孔，然后采用电镀的方法将Cu沉积在基板通孔和正反面已实现电气连接，然后采用CMP的方法将表面Cu层去掉，最后采用PVD镀膜光刻方法制备RDL重布线层，去胶后最终形成钝化层。与TSV的制备流程对比，TGV省去了在衬底表面及TGV内壁沉积绝缘层的步骤（由于铜可以与硅发生反应，因此需要沉积绝缘层、隔离层），并由于玻璃基板本身就可以做的很薄，还可以省去二次减薄的过程。
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