EVG标准临时键合/解键合工艺流程示意
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临时键合/解键合常见工艺流程：首先在临时载板或功能晶圆上通过压合、粘贴或旋涂等方法制造一层中间层材料作为键合黏接剂，然后翻转功能晶圆，使其正面与临时载板对准，然后将二者转移至键合腔进行键合，临时键合完成后，对功能晶圆进行减薄，一般包括机械研磨、化学抛光等步骤。减薄后再进行深硅刻蚀、扩散阻挡层及种子层沉积、电镀、机械化学抛光、光刻、刻蚀、金属化等背面加工，形成再布线层、TSV 等结构。最后可以采用不同方式的解键合工艺将功能晶圆与临时载板分离，对二者分别进行清洗后，将功能晶圆转移到划片膜或其他支撑系统中，以便进行下一步工艺，临时载板则可以马上进行再次利用。在这一工艺流程中，仅添加了临时键合机与解键合机两台设备，其他步骤均可采用与标准晶圆制造相同的设备与工艺完成。目前全球临时键合设备主要供应商有 EV Group、SUSS MicroTec 等公司。
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