18A 工艺采用 RibbonFET 架构和 PowerVia 设计，为公司技术竞争力提供坚实保障。英特尔 18A 工艺采用 RibbonFET 架构（即环绕栅极晶体管，Gate All Around - GAA），通过栅极包围沟道的设计，可更有效控制晶体管中的电流，实现更小的晶体管尺寸的同时，保持高性能和高能效。18A 还通过减少金属线间距（即芯片内部的互连金属线间距缩小，使更多组件得以封装到同一芯片中），进一步优化芯片设计。此外，18A工艺抢先采用 PowerVia设计，一种背面供电方案（BSPDN，Back Side Power Delivery Network）。该技术通过纳 米级硅通 孔（TSV，Through-Silicon Via）直接向晶体管 层供电，将电源线从传统的正面布线移至晶圆背面。与传统前向供电方案相比，PowerVia 的互联层设计显著降低电源干扰，同时更紧凑的晶体管布局可提升芯片密度，有助于进一步增强性能。此外，该技术可减少EUV 光刻的使用次数，有望降低制造成本。值得注意的是，台积电计划在 2026 年的 N2P工艺上引入背面供电技术，而如果英特尔能顺利量产 18A，则在该关键技术上实现对台积电的领先。