图表17HBM（4层DRAM+1层逻辑）99%键合良率
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TSV 工艺价值量在 HBM 封装工艺中占比最高。根据 3DinCites 数据，配置为 4 层 DRAM core die 和 1 层逻辑 base die 堆叠的 HBM 结构，在 99.5%和 99%的芯片键合良率条件下，TSV 制造和 TSV 通孔露出工艺分别占其成本的 30%和 28%。
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