TSV制造成本构成（Via-Last方案）中铜电镀占
2024-07-11 08:16:15
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TSV正面及背面工艺：TSV刻蚀、填充及CMP
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2025年DRAM总产能微幅增长、TSV占比升高
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电镀液广泛应用于晶圆硅通孔（TSV）镀铜工艺
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图9 “最坏情况”贸易战对价格的影响，2025 到 2030 年
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图6 印尼对美国的农业出口，2010年至2024年
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图7 受到美国互惠关税影响最大的五种农业食品产品
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TSV工艺中临时键合/解键合、铜电镀成本占比最高。根据《A Cost Model Analysis Comparing Via-Middle and Via-Last TSV Processes》论文数据，在 Via-Middle的 TSV工艺制造成本中，临时键合/解键合与铜电镀成本占比均为 17%，背面通孔显示（主要包括背面减薄和抛光、刻蚀、CVD、CMP 等）和背面 RDL（主要包括 PVD、光刻、电镀等）成本占比约为 15%左右，其他关键工艺包括刻蚀、CVD、铜阻挡层 PVD等。而 Via-Last的 TSV工艺中，铜电镀成本占比 18%，临时键合/解键合与铜阻挡层PVD成本占比均为 17%，背面 RDL（主要包括 PVD、光刻、电镀等）成本占比约为请务必参阅正文后面的信息披露和法律声明 11 / 48 16%，其他核心工艺与 Via-Middle方案类似。
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