TSV（硅通孔）工艺将多层平面进行堆叠互连
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TSV（Through Silicon Via，硅通孔）技术主要用于立体封装，在芯片的垂直方向上提供电气扩展和互连的功能。通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通孔，实现芯片之间互连的最新技术。与传统Wire Bonding的芯片堆叠技术不同，TSV 技术能够使芯片在 3D 堆叠的密度最大，外形尺寸最小，并且大幅改善芯片运行速度，降低功耗。因此，TSV技术曾被称为继Wire Bonding、TAB和 Flip Chip之后的第 4代封装技术。
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