TSV(硅通孔)工艺将多层平面进行堆叠互连
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TSV(Through Silicon Via,硅通孔)技术主要用于立体封装,在芯片的垂直方向上提供电气扩展和互连的功能。通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通孔,实现芯片之间互连的最新技术。与传统Wire Bonding的芯片堆叠技术不同,TSV 技术能够使芯片在 3D 堆叠的密度最大,外形尺寸最小,并且大幅改善芯片运行速度,降低功耗。因此,TSV技术曾被称为继Wire Bonding、TAB和 Flip Chip之后的第 4代封装技术。
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