各类型先进封装主要包含bumping、RDL、TSV及键合等互连工艺
2024-07-11 08:16:15
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图34、RDL技术的工艺流程（以电镀法为例）
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图18、全球TSV产能（万片/月）
2025-09-19 13:49:18
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RDL层和C4/底部填充（UF）层提供缓冲
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TSV正面及背面工艺：TSV刻蚀、填充及CMP
2025-04-01 13:43:23
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化学机械平坦化抛光(CMP)去除多余铜并露出TSV铜柱顶面
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行业数据1
TSV在2.5D封装与3D封装中的应用
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行业数据1
TSV技术与传统线键合（WireBonding）技术对比
2025-01-02 13:46:38
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先进封装Bumping工序流程示例Bumping凸块替代传统封装中的金线键合，以微小的焊球或凸块实现芯片与封装载板的互联
2024-12-20 13:31:16
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图表24TGV与TSV的特性比较
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2025年DRAM总产能微幅增长、TSV占比升高
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扇入型与扇出型RDL对比
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重新分布层（RDL）结构
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TSV制造成本构成（Via-Last方案）中铜电镀占
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电镀液广泛应用于晶圆硅通孔（TSV）镀铜工艺
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国资委79号文件央国企信创替代方案
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图11 联合国全球数字和可持续贸易便利化调查评分，2025年
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图9 “最坏情况”贸易战对价格的影响，2025 到 2030 年
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图 8 “最坏情况”贸易战对印度尼西亚前10大农业食品下游需求部门的影响，2025年至2030年
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图6 印尼对美国的农业出口，2010年至2024年
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图7 受到美国互惠关税影响最大的五种农业食品产品
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先进封装主要技术平台包括：倒装（FC）、晶圆级封装（WLP）、2.5D、3D封装等。支持这些平台技术的主要互连工艺包括凸块（Bumping）、重布线（RDL）、硅通孔（TSV）、混合键合等，互连工艺升级是先进封装的关键。
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