图表42.WLP采用RDL、TSV和Micro-bump工艺
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Figure 8: Micro learning voting in Germany and Poland, 2021-2026
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图34、RDL技术的工艺流程(以电镀法为例)
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RDL层和C4/底部填充(UF)层提供缓冲
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WLP2000晶圆级封装直写光刻机
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TSV正面及背面工艺:TSV刻蚀、填充及CMP
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化学机械平坦化抛光(CMP)去除多余铜并露出TSV铜柱顶面
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TSV在2.5D封装与3D封装中的应用
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TSV技术与传统线键合(WireBonding)技术对比
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图表24TGV与TSV的特性比较
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2025年DRAM总产能微幅增长、TSV占比升高
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晶圆级封装(WLP)即在晶圆上进行整体封装,封装完成后再进行切割分片。同时晶圆级封装增加了 RDL、TSV 和 Micro-bump 等工艺,而在RDL 重布线金属化、凸点制作和 TSV 硅穿孔前都需采用光刻工艺进行图形化。
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