EUV特性要求采用全反射的投影物镜系统
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2.2 EUV 反射系统之难：原子级平整度，仅蔡司有生产能力 不同于 DUV 光刻机的物镜系统，EUV 光刻机采用的是带有镀膜的非球面镜组成的离轴反射系统，难点主要在于：1）原子级平整度要求。ASML 的 EUV 光刻技术采用了极紫外线作为光源。极紫外线又称为软 x 射线，其波长短、穿透性强，DUV 所用的透射式系统无法使极紫外线偏折，故而物镜系统中只能使用全反射的投影系统。由于 EUV 能量很高，可以引起反射镜表面的化学反应和损伤。反射镜需要通过高度纯净的材料和表面镀层，同时也需要非常精确的表面形状和光学特性来最小化能量损失。镀膜方面，由钼和硅的交替纳米层制作、最高达 100 层，且多层膜厚度误差在 0.025nm（原子级别）。平整度方面，非球面镜面型精度误差低于 0.25nm。因此 EUV 反射镜被誉为“宇宙中最光滑的人造结构”、“世界上最精确的反射镜”。2）真空洁净度要求。由于绝对的平整度要求，任何环境中的微小颗粒都会对工艺质量造成极大破坏，所以整套系统要求极高的真空洁净度，蔡司位于Oberkochen 的实验室能达到该要求。
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