现有的EUV光刻机（用于制造7纳米/5纳米/3纳米制程芯片）使用13.5纳米的波长。ASML EUV光刻机3400C产品使用k1、λ、NA分别为0.25、13.5纳米、0.33。一般认为EUV单次曝光对应台积电7纳米制程工艺，而投资更先进的光刻机技术或在经济上可以弥补多次曝光的良率和效率上的损失。业界（这里包括ASML等设备厂商，台积电、英特尔等涉及到先进制程的IDM或代工厂，以及众多的半导体设计商的综合意见）判断，NA=0.33的光刻机或可以支持从7纳米到3纳米制程工艺节点，而2纳米节点业界或使用High NA （NA=0.55）。ASML称其5000系列“High NA”已经在2023年12月开始交付英特尔（18A节点），并在2H24交付台积电测试使用。
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