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氮化镓和碳化硅同属第三代宽禁带半导体，但技术特性和应用方向各有侧重。性能维度上，GaN 基于横向晶体管结构，从下到上分为衬底（substrate）、缓冲层（buffer）、GaN外延层（epitaxy）与 AlGaN 势垒层（barrier）；主攻 80-650V 中低压领域，其高频开关特性（可达 MHz 级）能显著降低损耗，在空间受限的场景（如数据中心电源）中实现高功率密度；而 SiC 采用垂直晶体管架构，栅极可靠性更优，适配 650V 以上高压场景，高温工况下性能尤为突出。应用场景方面，SiC 凭借高阻断电压能力主导光伏逆变器、电网传输等高压高功率领域；GaN 则以高频优势领跑消费电子、服务器电源等高频高效市场。
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