氮化镓和碳化硅同属第三代宽禁带半导体,但技术特性和应用方向各有侧重。性能维度上,GaN 基于横向晶体管结构,从下到上分为衬底(substrate)、缓冲层(buffer)、GaN外延层(epitaxy)与 AlGaN 势垒层(barrier);主攻 80-650V 中低压领域,其高频开关特性(可达 MHz 级)能显著降低损耗,在空间受限的场景(如数据中心电源)中实现高功率密度;而 SiC 采用垂直晶体管架构,栅极可靠性更优,适配 650V 以上高压场景,高温工况下性能尤为突出。应用场景方面,SiC 凭借高阻断电压能力主导光伏逆变器、电网传输等高压高功率领域;GaN 则以高频优势领跑消费电子、服务器电源等高频高效市场。