在 MEMS 中,晶圆键合工艺已经应用数十年;在 CMOS 中,需要首先生产一个逻辑晶圆,再生产一个用于像素处理的单独晶圆,通过晶圆键合将二者结合,再将各芯片切成小片形成 CMOS 传感器;在 HBM 中,DRAM Die 之间进行4-12 层的堆叠,晶圆键合将各层之间互联;在 3D NAND 中,例如长江存储的 Xtacking 工艺也需要晶圆键合工艺来实现 CMOS 和存储晶圆的互联,实现并行的、模块化的设计和制造,为引入 NAND 外围电路的创新功能以及实现NAND 闪存的定制化提供可能性。