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TSV为 HBM核心工艺，在 HBM 3D封装成本中占比约 30%。根据 SAMSUNG，3D TSV工艺较传统 POP封装形式节省了 35%的封装尺寸，降低了 50%的功耗，并且对比带来了 8倍的带宽提升。考虑 99.5%和 99%两种键合良率的情形，对 4 层存储芯片和一层逻辑裸芯进行3D堆叠的成本进行分析，TSV形成和显露的成本占比合计分别为 30%和 28%，超过了前/后道工艺的成本占比，是 HBM 3D封装中成本占比最高的部分。
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