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此外，根据 Financial Times 24 年 5 月报道引用，海力士 HBM3E TSV+键合工艺良率已近 80%，而海力士采用的 Advanced MR-MUF 键合较三星和美光采用的 TC-NCF键合在良率上有所优势（采用 TC-NCF 良率约在 40%-60%区间）。同时，台媒科技新报 24 年 3 月报道指出，供应商试图拉高良率会带来产量下降，鉴于 HBM 产能吃紧，因此确保产量优先级更高。结合上述信息，我们认为美光和三星 HBM3 量产后，伴随 产能 爬坡，工艺良率将有所提升并趋于稳定，但使 用 TC-NCF 键合所以良率仍将低于海力士，预测 24 年海力士/三星/美光整体 HBM 良率 75%/40%/45%，25 年小有爬升，将是 77%/41%/47%。
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