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此外，根据 Digitimes 24 年 3 月报道，鉴于 TSV 穿孔和键合过程易带来芯片翘曲，海力士 HBM3/ TSV+键合工艺良率仅 60%-70%，较一般 DRAM 低 20-30pct，而海力士采用的 Advanced MR-MUF 键合已较三星和美光采用的 TC-NCF键合在良率上有所优 势， 因此美光和三星 HBM 键合良率可能更低。同时 ，台媒科技新报 24 年 3 月报道指出，供应商试图拉高良率会带来产量下降，鉴于 HBM 产能吃紧，因此确保产量优先级更高。结合上述信息，我们认为美光和三星 HBM3 量产后，伴随产能爬坡，工艺良率将有所提升并趋于稳定，但使用 TC-NCF 键合所以良率仍将低于海力士，预测 24 年海力士/三星/美光整体 HBM 良率 60%/40%/45%，25 年小有爬升，将是 60%/42%/47%。
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