采用浸没式DUV与EUV的工艺步数对比
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相较于多重曝光工艺，EUV 在工艺和成本上更具优势。根据 ASML，若完全使用浸没式 DUV 光刻机实现 7nm 制程，需要经过 34 次光刻和 59-65 次对准套刻，较高的工艺复杂度显著提高了损失良率的风险，因此继续使用浸没式 DUV 光刻机不具备实际经济效益。相比之下，EUV 光刻机大大减少了工艺的复杂程度，得益于光源波长为 13.5nm，单次曝光的分辨率极限可以达到 13nm，因此对于 7nm 制程中的特征尺寸，仅需要 9 次光刻和 12 次对准套刻，更少的工艺步骤和更好的成像质量对成本和最终良率极其有利。相较多重曝光，EUV 能降低 15%-50%的成本，缩短 3-6倍的周期时间，使产品更快量产。此外，若同时使用 EUV 和 SADP，可实现更小的特征尺寸，使芯片制程向 5nm/3nm 继续发展，摩尔定律也得以继续存活。
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