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光刻是利用光化学反应原理，将掩模版上的电路图形转印到硅片衬底上的过程。该过程通常包括涂胶、曝光和显影三大环节：首先在硅片表面旋涂一层光刻胶，并经过预烘提高附着力；随后在光刻机内将掩模图案与晶圆对准，光源经投影光学系统聚焦到光刻胶层，使曝光区域发生光化学反应并改变其溶解性能；最后在显影液作用下去除指定区域的光刻胶，形成所需的图案轮廓。所得光刻胶结构将作为抗蚀层，用于指导后续刻蚀、离子注入等工序。
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