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TSV 封装可以提高堆叠密度，降低互联延迟。TSV（Through-Silicon Vias）即硅通孔技术，指在芯片上钻孔并通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现芯片的垂直电气互联。硅通孔封装的优势在于：1）可以实现较小的封装尺寸：随着堆叠芯片及连接引脚（Pin）的数量增加，引线复杂度提高并且需要更多空间容纳引线；而硅通孔芯片堆叠不需要复杂布线，封装尺寸更小。2）硅通孔封装可以实现芯片直接向下方芯片发送信号，而引线键合封装需先将信号传输至基板再传输至芯片，信号传输路径更长，因此硅通孔封装可以大大降低互联延迟，提高运行速度。TSV 结合微凸点，可以在三维方向获得最大的堆叠密度和最小的外形尺寸，同时大幅提高了芯片的速度和低功耗性能，被视为是继引线键合、载带自动键合（TAB）和倒装芯片之后的第四代封装互联技术。
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